據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研網(wǎng)(Cir.cn)《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》,2008年半導(dǎo)體功率器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 億元,預(yù)計(jì)2009年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 億元,期間年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)達(dá) %。報(bào)告系統(tǒng)分析了半導(dǎo)體功率器件行業(yè)的市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)及發(fā)展趨勢(shì)。報(bào)告從半導(dǎo)體功率器件行業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)、發(fā)展環(huán)境入手,結(jié)合半導(dǎo)體功率器件行業(yè)運(yùn)行數(shù)據(jù)和產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),全面解讀半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局及重點(diǎn)企業(yè)表現(xiàn),并基于此對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展前景作出預(yù)測(cè),提供可操作的發(fā)展建議。研究采用定性與定量相結(jié)合的方法,整合國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、相關(guān)協(xié)會(huì)的權(quán)威數(shù)據(jù)以及一手調(diào)研資料,確保結(jié)論的準(zhǔn)確性和實(shí)用性,為半導(dǎo)體功率器件行業(yè)參與者提供有價(jià)值的市場(chǎng)洞察和戰(zhàn)略指導(dǎo)。
一、2008年全球功率器件市場(chǎng)概述
?。ㄒ唬?市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
(二) 基本特點(diǎn)
?。ㄈ?主要國(guó)家與地區(qū)
1、美國(guó)
2、歐洲
3、日本
4、亞太(不含日本)
二、2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)概述
?。ㄒ唬?市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
(二) 基本特點(diǎn)
1、中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速繼續(xù)下滑
2、電源管理IC市場(chǎng)發(fā)展趨緩,網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用增速最慢
3、MOSFET和IGBT仍是市場(chǎng)需求增速最快的兩類產(chǎn)品
(三) 市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析
轉(zhuǎn)-自:http://www.seedlingcenter.com.cn/R_2009-07/2008_2009bandaotigonglvqijianshichan.html
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
3、品牌結(jié)構(gòu)
三、2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析
?。ㄒ唬?2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析
?。ǘ?2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
四、2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)
?。ㄒ唬?產(chǎn)品與技術(shù)
1、小型封裝產(chǎn)品快速發(fā)展
2、良好的散熱性能以及更高的功率密度成為封裝發(fā)展方向
3、無(wú)制造廠模式取得快速發(fā)展
4、電源管理IC將向集成化發(fā)展
?。ǘ?價(jià)格
(三) 渠道
五、2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品研究
?。ㄒ唬?MOSFET
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、電壓結(jié)構(gòu)
3、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
4、封裝結(jié)構(gòu)
5、電流結(jié)構(gòu)
6、功能結(jié)構(gòu)
7、品牌結(jié)構(gòu)
?。ǘ?IGBT
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
3、電壓結(jié)構(gòu)
4、封裝結(jié)構(gòu)
5、品牌結(jié)構(gòu)
?。ㄈ?電源管理IC
Annual Report on China Semiconductor Power Devices Market Research 2008-2009
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
3、品牌結(jié)構(gòu)
六、中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析
?。ㄒ唬?整體競(jìng)爭(zhēng)格局
?。ǘ?重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略與SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、TI
4、On Semiconductor
5、Infineon
6、IR
7、Vishay
七、建議
1、中國(guó)企業(yè)要謹(jǐn)慎導(dǎo)入MOSFET產(chǎn)品
2、降低企業(yè)生產(chǎn)成本
3、實(shí)現(xiàn)差異化生產(chǎn)避免惡性競(jìng)爭(zhēng)
《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》說(shuō)明
表目錄
表1 2004-2008年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模
表2 2004-2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
表3 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
表4 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表5 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表6 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析
表7 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
表8 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
表9 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
表10 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
表11 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
表12 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
表13 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告
表14 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表15 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表16 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表17 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表18 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表19 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
表20 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
表21 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
表22 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
表23 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表24 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
表25 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
表26 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表27 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表28 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表29 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表30 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電封裝結(jié)構(gòu)
表31 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表32 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表33 2004-2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)
表34 2008年中國(guó)電源管理IC產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
表35 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
表36 2008年中國(guó)電源管理IC應(yīng)用結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
表37 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表38 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表39 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Fairchild
表40 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Fairchild
表41 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-ST
表42 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-ST
表43 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商評(píng)價(jià)-TI
表44 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-TI
表45 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-On Semiconductor
2008-2009 nián zhōng guó bàn dǎo tǐ gōng lǜ qì jiàn shì chǎng yán jiū nián dù bào gào
表46 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析- On Semiconductor
表47 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Infineon
表48 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Infineon
表49 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-IR
表50 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-IR
表51 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Vishay
表52 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Vishay
圖目錄
圖1 2004-2008年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖2 2004-2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖3 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖4 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖5 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖6 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖7 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
圖8 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
圖9 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
圖10 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
圖11 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
圖12 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
圖13 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖14 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖15 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖16 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖17 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖18 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖19 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體パワー素子市場(chǎng)研究年間レポート
圖20 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
圖21 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
圖22 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
圖23 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖24 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖25 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖26 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖27 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖28 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖29 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖30 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖31 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖32 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖33 2004-2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)
圖34 2008年中國(guó)電源管理IC產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
圖35 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖36 2008年中國(guó)電源管理IC應(yīng)用結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
圖37 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖38 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖39 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)廠商競(jìng)爭(zhēng)力分析
http://www.seedlingcenter.com.cn/R_2009-07/2008_2009bandaotigonglvqijianshichan.html
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