第三代半導體材料，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其寬禁帶特性，在高溫、高壓和高頻環(huán)境下展現(xiàn)出優(yōu)異的電氣性能，廣泛應用于電力電子、射頻通信和光電子領域。與傳統(tǒng)的硅基材料相比，第三代半導體器件能效更高、體積更小、可靠性更強。近年來，隨著新能源汽車、5G通信和數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，第三代半導體技術迎來了爆發(fā)式增長，成為半導體產(chǎn)業(yè)的新興熱點。

　　未來，第三代半導體將在技術創(chuàng)新和應用領域持續(xù)突破。技術創(chuàng)新方面，將致力于提高材料質(zhì)量和器件性能，降低成本，擴大產(chǎn)能，以滿足大規(guī)模商用的需求。應用領域方面，除了繼續(xù)深化在現(xiàn)有領域的應用，還將探索在太赫茲通信、量子計算和空間探測等前沿領域的潛力。此外，隨著全球?qū)?jié)能減排目標的承諾，第三代半導體在促進能源轉(zhuǎn)換效率和綠色能源發(fā)展方面的作用將更加凸顯。

　　《2025-2031年中國第三代半導體市場深度調(diào)研與發(fā)展趨勢報告》基于多年第三代半導體行業(yè)研究積累，結(jié)合當前市場發(fā)展現(xiàn)狀，依托國家權威數(shù)據(jù)資源和長期市場監(jiān)測數(shù)據(jù)庫，對第三代半導體行業(yè)進行了全面調(diào)研與分析。報告詳細闡述了第三代半導體市場規(guī)模、市場前景、發(fā)展趨勢、技術現(xiàn)狀及未來方向，重點分析了行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)的競爭格局，并通過SWOT分析揭示了第三代半導體行業(yè)的機遇與風險。

　　產(chǎn)業(yè)調(diào)研網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國第三代半導體市場深度調(diào)研與發(fā)展趨勢報告》為投資者提供了準確的市場現(xiàn)狀解讀，幫助預判行業(yè)前景，挖掘投資價值，同時從投資策略和營銷策略等角度提出實用建議，助力投資者在第三代半導體行業(yè)中把握機遇、規(guī)避風險。

第一章 第三代半導體相關概述

　　1.1 第三代半導體基本介紹

　　　　1.1.1 基礎概念界定

　　　　1.1.2 主要材料簡介

　　　　1.1.3 歷代材料性能

　　　　1.1.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義

　　1.2 第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析

　　　　1.2.1 材料發(fā)展歷程

　　　　1.2.2 產(chǎn)業(yè)演進全景

　　　　1.2.3 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑

　　1.3 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈構成及特點

　　　　1.3.1 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構簡介

　　　　1.3.2 產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析

　　　　1.3.3 產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系

　　　　1.3.4 產(chǎn)業(yè)鏈體系分工

　　　　1.3.5 產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟建設

第二章 2020-2025年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

　　2.1 2020-2025年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)運行情況分析

　　　　2.1.1 國際產(chǎn)業(yè)格局

　　　　2.1.2 市場規(guī)模增長

　　　　2.1.3 市場結(jié)構分析

　　　　2.1.4 研發(fā)項目規(guī)劃

　　　　2.1.5 應用領域格局

　　2.2 美國

　　　　2.2.1 研發(fā)支出規(guī)模

　　　　2.2.2 產(chǎn)業(yè)技術優(yōu)勢

　　　　2.2.3 技術創(chuàng)新中心

　　　　2.2.4 技術研發(fā)動向

　　　　2.2.5 戰(zhàn)略層面部署

　　2.3 日本

　　　　2.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃

　　　　2.3.2 研究成果豐碩

　　　　2.3.3 封裝技術聯(lián)盟

轉(zhuǎn)載?自：http://www.seedlingcenter.com.cn/3/05/DiSanDaiBanDaoTiWeiLaiFaZhanQuShi.html

　　　　2.3.4 照明領域情況分析

　　　　2.3.5 研究領先進展

　　2.4 歐盟

　　　　2.4.1 研發(fā)項目歷程

　　　　2.4.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎

　　　　2.4.3 前沿企業(yè)格局

　　　　2.4.4 未來發(fā)展熱點

第三章 2020-2025年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析

　　3.1 政策環(huán)境（Political）

　　　　3.1.1 中央部委政策支持

　　　　3.1.2 地方政府扶持政策

　　　　3.1.3 材料領域?qū)ｍ椧?guī)劃

　　　　3.1.4 貿(mào)易關稅摩擦影響

　　3.2 經(jīng)濟環(huán)境（Economic）

　　　　3.2.1 宏觀經(jīng)濟概況

　　　　3.2.2 工業(yè)運行情況

　　　　3.2.3 經(jīng)濟轉(zhuǎn)型升級

　　　　3.2.4 未來經(jīng)濟展望

　　3.3 社會環(huán)境（Social）

　　　　3.3.1 社會教育水平

　　　　3.3.2 人口規(guī)模與構成

　　　　3.3.3 產(chǎn)業(yè)結(jié)構演進

　　　　3.3.4 技術人才儲備

　　3.4 技術環(huán)境（Technological）

　　　　3.4.1 專利技術構成

　　　　3.4.2 科技計劃專項

　　　　3.4.3 國際技術成熟

　　　　3.4.4 產(chǎn)業(yè)技術聯(lián)盟

第四章 2020-2025年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

　　4.1 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點

　　　　4.1.1 企業(yè)以IDM模式為主

　　　　4.1.2 制備工藝不追求頂尖

　　　　4.1.3 襯底和外延是關鍵環(huán)節(jié)

　　　　4.1.4 各國政府高度重視發(fā)展

　　　　4.1.5 國際龍頭企業(yè)加緊布局

　　　　4.1.6 軍事用途導致技術禁運

　　4.2 2020-2025年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述

　　　　4.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

　　　　4.2.2 產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值

　　　　4.2.3 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)線規(guī)模

　　　　4.2.4 產(chǎn)業(yè)供需狀態(tài)

　　　　4.2.5 產(chǎn)業(yè)成本趨勢

　　　　4.2.6 產(chǎn)業(yè)應用前景

　　　　4.2.7 未來發(fā)展趨勢

　　4.3 2020-2025年中國第三代半導體市場發(fā)展狀況分析

　　　　4.3.1 市場發(fā)展規(guī)模

　　　　4.3.2 細分市場結(jié)構

　　　　4.3.3 企業(yè)競爭格局

　　　　4.3.4 重點企業(yè)介紹

　　　　4.3.5 產(chǎn)品發(fā)展動力

　　4.4 2020-2025年中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析

　　　　4.4.1 上游金屬硅產(chǎn)能擴張

　　　　4.4.2 上游金屬硅價格走勢

　　　　4.4.3 上游氧化鋅市場需求

　　　　4.4.4 上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局

　　　　4.4.5 上游材料競爭狀況分析

　　4.5 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析

　　　　4.5.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題

　　　　4.5.2 市場推進難題

　　　　4.5.3 技術發(fā)展挑戰(zhàn)

　　　　4.5.4 城市競爭激烈

　　　　4.5.5 材料發(fā)展挑戰(zhàn)

　　4.6 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策

　　　　4.6.1 建設產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

　　　　4.6.2 加強企業(yè)培育

　　　　4.6.3 集聚產(chǎn)業(yè)人才

　　　　4.6.4 推動應用示范

　　　　4.6.5 材料發(fā)展思路

第五章 2020-2025年第三代半導體氮化鎵（GaN）材料及器件發(fā)展分析

　　5.1 GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展情況分析

　　　　5.1.1 GaN結(jié)構性能

　　　　5.1.2 GaN制備工藝

　　　　5.1.3 GaN材料類型

　　　　5.1.4 技術專利發(fā)展

In-depth Market Research and Development Trend Report of China Third-generation Semiconductor from 2025 to 2031

　　　　5.1.5 技術發(fā)展趨勢

　　5.2 GaN材料市場發(fā)展概況分析

　　　　5.2.1 市場發(fā)展規(guī)模

　　　　5.2.2 材料價格走勢

　　　　5.2.3 應用市場結(jié)構

　　　　5.2.4 應用市場預測分析

　　　　5.2.5 市場競爭格局

　　5.3 GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況

　　　　5.3.1 器件產(chǎn)品類別

　　　　5.3.2 GaN晶體管

　　　　5.3.3 射頻器件產(chǎn)品

　　　　5.3.4 射頻模塊產(chǎn)品

　　　　5.3.5 GaN光電器件

　　　　5.3.6 電力電子器件

　　5.4 GaN器件應用領域及發(fā)展情況

　　　　5.4.1 電子電力器件應用

　　　　5.4.2 高頻功率器件應用

　　　　5.4.3 器件應用發(fā)展情況分析

　　　　5.4.4 應用實現(xiàn)條件與對策

　　5.5 GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)

　　　　5.5.1 器件技術難題

　　　　5.5.2 電源技術瓶頸

　　　　5.5.3 風險控制建議

第六章 2020-2025年第三代半導體碳化硅（SiC）材料及器件發(fā)展分析

　　6.1 SiC材料基本性質(zhì)與制備技術發(fā)展情況分析

　　　　6.1.1 SiC性能特點

　　　　6.1.2 SiC制備工藝

　　　　6.1.3 SiC產(chǎn)品類型

　　　　6.1.4 單晶技術專利

　　　　6.1.5 制備技術布局

　　6.2 SiC材料市場發(fā)展概況分析

　　　　6.2.1 材料價格走勢

　　　　6.2.2 材料市場規(guī)模

　　　　6.2.3 市場應用結(jié)構

　　　　6.2.4 市場競爭格局

　　　　6.2.5 企業(yè)研發(fā)布局

　　6.3 SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況

　　　　6.3.1 器件產(chǎn)品現(xiàn)狀

　　　　6.3.2 電力電子器件

　　　　6.3.3 功率模塊產(chǎn)品

　　　　6.3.4 產(chǎn)品發(fā)展趨勢

　　6.4 SiC器件應用領域及發(fā)展情況

　　　　6.4.1 應用整體技術路線

　　　　6.4.2 電網(wǎng)應用技術路線

　　　　6.4.3 電力牽引應用技術路線

　　　　6.4.4 電動汽車應用技術路線

　　　　6.4.5 家用電器和消費類電子應用

第七章 第三代半導體其他材料發(fā)展狀況分析

　　7.1 Ⅲ族氮化物半導體材料發(fā)展分析

　　　　7.1.1 基礎概念介紹

　　　　7.1.2 材料結(jié)構性能

　　　　7.1.3 材料制備工藝

　　　　7.1.4 主要器件產(chǎn)品

　　　　7.1.5 應用發(fā)展情況分析

　　　　7.1.6 發(fā)展建議對策

　　7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析

　　　　7.2.1 基本概念介紹

　　　　7.2.2 材料結(jié)構性能

　　　　7.2.3 材料制備工藝

　　　　7.2.4 主要應用器件

　　7.3 氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析

　　　　7.3.1 材料結(jié)構性能

　　　　7.3.2 材料制備工藝

　　　　7.3.3 主要技術發(fā)展

　　　　7.3.4 器件應用發(fā)展

　　　　7.3.5 未來發(fā)展趨勢

　　7.4 金剛石半導體材料發(fā)展分析

　　　　7.4.1 材料結(jié)構性能

　　　　7.4.2 襯底制備工藝

　　　　7.4.3 主要器件產(chǎn)品

　　　　7.4.4 應用發(fā)展情況分析

2025-2031年中國第三代半導體市場深度調(diào)研與發(fā)展趨勢報告

　　　　7.4.5 未來發(fā)展前景

第八章 2020-2025年第三代半導體下游應用領域發(fā)展分析

　　8.1 第三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應用領域發(fā)展概況

　　　　8.1.1 下游產(chǎn)業(yè)結(jié)構布局

　　　　8.1.2 下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點

　　　　8.1.3 下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛

　　8.2 2020-2025年電子電力領域發(fā)展情況分析

　　　　8.2.1 全球市場發(fā)展規(guī)模

　　　　8.2.2 國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模

　　　　8.2.3 器件市場分布情況分析

　　　　8.2.4 器件廠商布局分析

　　　　8.2.5 器件產(chǎn)品價格走勢

　　　　8.2.6 應用市場發(fā)展規(guī)模

　　8.3 2020-2025年微波射頻領域發(fā)展情況分析

　　　　8.3.1 射頻器件市場規(guī)模

　　　　8.3.2 射頻器件市場結(jié)構

　　　　8.3.3 射頻器件市場占比

　　　　8.3.4 射頻器件價格走勢

　　　　8.3.5 國防基站應用規(guī)模

　　　　8.3.6 移動通信基站帶動

　　　　8.3.7 軍用射頻器件市場

　　8.4 2020-2025年半導體照明領域發(fā)展情況分析

　　　　8.4.1 行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

　　　　8.4.2 行業(yè)發(fā)展規(guī)模

　　　　8.4.3 應用市場分布

　　　　8.4.4 應用發(fā)展趨勢

　　　　8.4.5 照明技術突破

　　　　8.4.6 照明發(fā)展方向

　　8.5 2020-2025年激光器與探測器應用發(fā)展情況分析

　　　　8.5.1 市場規(guī)?，F(xiàn)狀

　　　　8.5.2 應用研發(fā)現(xiàn)狀

　　　　8.5.3 激光器應用發(fā)展

　　　　8.5.4 探測器應用發(fā)展

　　　　8.5.5 未來發(fā)展趨勢

　　8.6 2020-2025年G通訊領域發(fā)展情況分析

　　　　8.6.1 市場發(fā)展規(guī)模

　　　　8.6.2 賦能射頻產(chǎn)業(yè)

　　　　8.6.3 應用發(fā)展方向

　　　　8.6.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

　　8.7 2020-2025年新能源汽車領域發(fā)展情況分析

　　　　8.7.1 行業(yè)市場規(guī)模

　　　　8.7.2 應用市場規(guī)模

　　　　8.7.3 市場需求預測分析

　　　　8.7.4 SiC應用示范

第九章 2020-2025年第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析

　　9.1 2020-2025年第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況

　　　　9.1.1 產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布

　　　　9.1.2 重點區(qū)域建設

　　9.2 京津翼地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

　　　　9.2.1 北京產(chǎn)業(yè)政策扶持

　　　　9.2.2 北京產(chǎn)業(yè)基地發(fā)展

　　　　9.2.3 保定檢測平臺落地

　　　　9.2.4 應用聯(lián)合創(chuàng)新基地

　　　　9.2.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢

　　9.3 中西部地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

　　　　9.3.1 四川產(chǎn)業(yè)政策歷程

　　　　9.3.2 重慶相關領域態(tài)勢

　　　　9.3.3 陜西產(chǎn)業(yè)項目規(guī)劃

　　9.4 珠三角地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

　　　　9.4.1 廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局

　　　　9.4.2 深圳產(chǎn)業(yè)園區(qū)規(guī)劃

　　　　9.4.3 東莞基地發(fā)展建設

　　　　9.4.4 區(qū)域未來發(fā)展趨勢

　　9.5 華東地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

　　　　9.5.1 江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況

　　　　9.5.2 蘇州產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聚集

　　　　9.5.3 山東產(chǎn)業(yè)布局動態(tài)

　　　　9.5.4 福建產(chǎn)業(yè)支持政策

　　　　9.5.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢

　　9.6 第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議

　　　　9.6.1 提高資源整合效率

　　　　9.6.2 補足SiC領域短板

　　　　9.6.3 開展關鍵技術研發(fā)

2025-2031 nián zhōngguó dì sān dài bàn dǎo tǐ shìchǎng shēndù diàoyán yǔ fāzhǎn qūshì bàogào

　　　　9.6.4 鼓勵地方加大投入

第十章 第三代半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析

　　10.1 三安光電

　　　　10.1.1 企業(yè)發(fā)展概況

　　　　10.1.2 業(yè)務經(jīng)營分析

　　　　10.1.3 財務狀況分析

　　　　10.1.4 核心競爭力分析

　　　　10.1.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略

　　　　10.1.6 未來前景展望

　　10.2 北京耐威科技

　　　　10.2.1 企業(yè)發(fā)展概況

　　　　10.2.2 業(yè)務經(jīng)營分析

　　　　10.2.3 財務狀況分析

　　　　10.2.4 核心競爭力分析

　　　　10.2.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略

　　　　10.2.6 未來前景展望

　　10.3 華潤微電子

　　　　10.3.1 企業(yè)發(fā)展概況

　　　　10.3.2 業(yè)務經(jīng)營分析

　　　　10.3.3 財務狀況分析

　　　　10.3.4 核心競爭力分析

　　　　10.3.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略

　　　　10.3.6 未來前景展望

　　10.4 湖北臺基半導體

　　　　10.4.1 企業(yè)發(fā)展概況

　　　　10.4.2 業(yè)務經(jīng)營分析

　　　　10.4.3 財務狀況分析

　　　　10.4.4 核心競爭力分析

　　　　10.4.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略

　　　　10.4.6 未來前景展望

　　10.5 無錫新潔能

　　　　10.5.1 企業(yè)發(fā)展概況

　　　　10.5.2 業(yè)務經(jīng)營分析

　　　　10.5.3 財務狀況分析

　　　　10.5.4 核心競爭力分析

　　　　10.5.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略

　　　　10.5.6 未來前景展望

　　10.6 華燦光電

　　　　10.6.1 企業(yè)發(fā)展概況

　　　　10.6.2 業(yè)務經(jīng)營分析

　　　　10.6.3 財務狀況分析

　　　　10.6.4 核心競爭力分析

　　　　10.6.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略

　　　　10.6.6 未來前景展望

第十一章 第三代半導體產(chǎn)業(yè)投資價值綜合評估

　　11.1 行業(yè)投資背景

　　　　11.1.1 行業(yè)投資現(xiàn)狀

　　　　11.1.2 投資市場周期

　　　　11.1.3 行業(yè)投資機會

　　　　11.1.4 行業(yè)投資前景

　　11.2 行業(yè)投融資情況

　　　　11.2.1 國際投資案例

　　　　11.2.2 國內(nèi)投資案例

　　　　11.2.3 國際企業(yè)并購

　　　　11.2.4 國內(nèi)企業(yè)并購

　　11.3 行業(yè)投資壁壘

　　　　11.3.1 技術壁壘

　　　　11.3.2 資金壁壘

　　　　11.3.3 貿(mào)易壁壘

　　11.4 行業(yè)投資風險

　　　　11.4.1 企業(yè)經(jīng)營風險

　　　　11.4.2 技術迭代風險

　　　　11.4.3 行業(yè)競爭風險

　　　　11.4.4 產(chǎn)業(yè)政策變化風險

　　11.5 行業(yè)投資建議

　　　　11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇

　　　　11.5.2 收購企業(yè)實現(xiàn)關鍵技術突破

　　　　11.5.3 關注新能源汽車催生需求

　　　　11.5.4 國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型

　　　　11.5.5 加強高校與科研院所合作

　　11.6 投資項目案例

　　　　11.6.1 項目基本概述

　　　　11.6.2 投資價值分析

2025‐2031年の中國の第3世代半導體市場に関する詳細な調(diào)査と発展動向レポート

　　　　11.6.3 建設內(nèi)容規(guī)劃

　　　　11.6.4 資金需求測算

　　　　11.6.5 實施進度安排

　　　　11.6.6 經(jīng)濟效益分析

第十二章 中:智林：2025-2031年第三代半導體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預測分析

　　12.1 第三代半導體未來發(fā)展前景與趨勢

　　　　12.1.1 應用領域展望

　　　　12.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇

　　　　12.1.3 重要發(fā)展窗口期

　　　　12.1.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略

　　12.2 2025-2031年第三代半導體產(chǎn)業(yè)預測分析

　　　　12.2.1 2025-2031年中國第三代半導體影響因素分析

　　　　12.2.2 2025-2031年中國第三代半導體市場規(guī)模預測分析

　　　　12.2.3 2025-2031年中國第三代半導體市場結(jié)構預測分析

附錄

　　附錄一：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

　　附錄二：“十四五”材料領域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃

圖表目錄

　　圖表 不同半導體材料性能比較（一）

　　圖表 不同半導體材料性能比較（二）

　　圖表 碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢

　　圖表 半導體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀

　　圖表 第三代半導體產(chǎn)業(yè)演進示意圖

　　圖表 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈

　　圖表 第三代半導體襯底制備流程

　　圖表 第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖

　　圖表 第三代半導體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系

　　圖表 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員（一）

　　圖表 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員（二）

　　圖表 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員（三）

　　圖表 世界各國第三代半導體產(chǎn)業(yè)布局

　　圖表 全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)格局

　　圖表 美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）

　　圖表 美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）

　　圖表 日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（一）

　　圖表 日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（二）

　　圖表 歐洲LAST POWER產(chǎn)學研項目成員

　　圖表 2025年國家部委關于集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持政策匯總（一）

　　圖表 襯底研發(fā)重點企業(yè)盤點

　　http://www.seedlingcenter.com.cn/3/05/DiSanDaiBanDaoTiWeiLaiFaZhanQuShi.html

　　產(chǎn)業(yè)調(diào)研網(wǎng)

　　省略………